近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中科重儀”）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線(xiàn)正式建成并投入使用。   據(jù)介紹，中科重儀生產(chǎn)的氮化鎵外延片，氮化鎵層厚度約5μm表面無(wú)裂紋，翹曲度小于100μm。HEMT結(jié)構(gòu)室溫下，方塊電阻為465Ω/sq，二維電子氣（2DEG）濃度約8×1013cm-2、2DEG遷移率大于2000 cm2/Vs，片內(nèi)與片間不均勻性小于1%，可以滿(mǎn)足電力電子領(lǐng)域功率器件開(kāi)發(fā)與應(yīng)用需求。   中科重儀表示，其自主研發(fā)的電力電子方向硅基[登陸后可查看全文]