日本東京農(nóng)工大學(xué)與日本酸素控股株式會(huì)社合作，共同開(kāi)發(fā)出新一代功率半導(dǎo)體“氧化鎵”的低成本制法。該方法利用氣體供應(yīng)原料，在基板上制造晶體，可以減少設(shè)備的維護(hù)頻率，也可以降低運(yùn)營(yíng)成本。 日本酸素控股表示，正在準(zhǔn)備新型設(shè)備的商用化，客戶有需求即可供貨。 這種制造氧化鎵的新方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，可以在基板上制造出氧化鎵的晶體。 目前現(xiàn)有的制法是“氫化物氣相外延（HVPE）法”，化學(xué)氣相沉積新制法可以制成此前實(shí)現(xiàn)不了[登陸后可查看全文]