1、通過采用碳化硅，有利于降低系統(tǒng)損耗和體積
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通過使用碳化硅大幅降低開關(guān)損耗，降低約21％的電力損耗※3
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實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，有利于縮小電抗器等配套零部件的體積
※3 與內(nèi)置PFC電路的三菱電機(jī)產(chǎn)品功率半導(dǎo)體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管相比
2、通過采用JBS結(jié)構(gòu)，提高可靠性
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采用pn結(jié)與肖特基結(jié)相結(jié)合的JBS※4結(jié)構(gòu)
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通過JBS結(jié)構(gòu)提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3、由5個產(chǎn)品構(gòu)成的產(chǎn)品陣容可對應(yīng)各種各樣的用途
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除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴(kuò)大絕緣距離的TO-247-2封裝
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除民用品外還可對應(yīng)工業(yè)等各種各樣的用途
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產(chǎn)品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產(chǎn)品（BD20120SJ），也可對應(yīng)車載用途
※5 Automotive Electronics Council：車載電子零部件質(zhì)量規(guī)格
新產(chǎn)品發(fā)售概要
銷售目標(biāo)
近年來，出于節(jié)能環(huán)保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)的功率半導(dǎo)體的期待逐漸高漲。三菱電機(jī)自2010年起陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導(dǎo)體模塊，廣泛應(yīng)用于空調(diào)以及工業(yè)機(jī)械、鐵路車輛的逆變器系統(tǒng)等，為降低家電及工業(yè)機(jī)械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻(xiàn)。
在這一背景下，此次將發(fā)售采用了SiC的功率半導(dǎo)體“SiC-SBD”。在電源系統(tǒng)中應(yīng)用“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統(tǒng)耗電量，縮小體積做出貢獻(xiàn)。
主要規(guī)格
※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的產(chǎn)品陣容
粗框內(nèi)為本次的新產(chǎn)品。
