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變頻器設(shè)計(jì)中,剎車(chē)電阻如何選?Chopper結(jié)溫如何評(píng)估?

已有17818次閱讀2022-06-06標(biāo)簽:

 

前言


通用變頻器應(yīng)用在大慣量負(fù)載時(shí),短時(shí)間內(nèi)的減速會(huì)使母線電壓升高,由于成本原因通用變頻器沒(méi)有主動(dòng)前端無(wú)法將能量回饋電網(wǎng),理論上如果電容容量夠大,可以先存儲(chǔ)能量將來(lái)釋放出來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī),避免能量浪費(fèi),但是電容的容量有限,而電容的耐壓也是有限的,當(dāng)母線電容的電壓高到一定程度,就可能會(huì)損壞電容了,有些還可能損壞IGBT,所以需要及時(shí)通過(guò)制動(dòng)電阻來(lái)釋放能量,維持母線電壓不超過(guò)最大允許值。


具體到制動(dòng)電阻的選型,它既關(guān)系到電阻本身的阻值和功率,又關(guān)系到Brake IGBT的結(jié)溫等性能的計(jì)算,下面就為大家做詳細(xì)解釋。


 

模塊介紹


拿一款MiniSKiiP系列的 35NAB12T4V1的CIB模塊來(lái)舉例。模塊內(nèi)部包含了三相不可控整流橋,制動(dòng)單元和兩電平三相逆變橋,每個(gè)IGBT包括Brake IGBT電壓是1200V,電流是50A,最高結(jié)溫175°C,運(yùn)行結(jié)溫150°C。


 

變頻驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)參數(shù)


制動(dòng)電阻選型是一套驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一部分,所以它和配套的電機(jī)、變頻器本身的硬件和軟件都會(huì)有關(guān),所以在確定制動(dòng)電阻前,需要先假設(shè)一些條件如下:


  • 目前380V電壓等級(jí)的變頻器11/15kW的輸出電流介于25~33A左右,模塊

    MiniSKiiP35NAB12T4V1的50A額定電流,可以匹配15kW/380V變頻器;

  • 380V變頻器母線電容往往是多組400V電解電容串并聯(lián),理論母線電壓可以最高達(dá)到800VDC,假定制動(dòng)IGBT開(kāi)通的母線閾值為Vbr=785V(DC),制動(dòng)時(shí)滯回區(qū)間為760~785VDC;

  • 變頻器額定工作時(shí),假定散熱片的溫度Ts≤85°C

  • 假定母線電容為830uF/400V,采用每組2個(gè)串聯(lián),共4組,等效容值1660uF;

  • 假定電機(jī)效率為ŋ1=85%,逆變器效率為ŋ2=98%;

  • 假定制動(dòng)時(shí)刻的制動(dòng)能力是1.3倍的制動(dòng)轉(zhuǎn)矩;


確定制動(dòng)電阻Max/Min value


  •  制動(dòng)電阻阻值Rmin:

由于暫時(shí)不確定Brake IGBT開(kāi)通的脈沖是否小于1ms,所以Ic取額定Ic=50A,那么IGBT開(kāi)通時(shí)的電流不應(yīng)該大于此值,可得到最小Rmin;Rmin=Vbr/Ic=785/50=15.7ohm;

 

  • 制動(dòng)電阻阻值Rmax:

由于制動(dòng)時(shí)刻的最大扭矩為額定1.3倍,電阻上消耗的能量來(lái)自直流回路,它應(yīng)該不小于最大制動(dòng)扭矩時(shí)的再生發(fā)電能量,即IGBT開(kāi)通時(shí)需要將母線這部分能量消耗掉,才能保證母線電壓不繼續(xù)升高Rmax=Vbr^2/(1.3*P)=785*785/15000/1.3=31.6ohm


  • 制動(dòng)電阻阻值范圍

R=15.7ohm~31.6ohm,之后的計(jì)算中我們假設(shè)選定制動(dòng)電阻R=16ohm

 

確認(rèn)制動(dòng)電阻的功率


一般變頻器廠商在定義制動(dòng)電阻時(shí),是針對(duì)確定的制動(dòng)循環(huán)進(jìn)行設(shè)計(jì)。根據(jù)負(fù)載不同的慣量和制動(dòng)循環(huán),可以分為一般慣量輕度循環(huán)(比如風(fēng)機(jī)水泵),大慣量中度循環(huán)(比如一般機(jī)械設(shè)備),高慣量重度循環(huán)(比如起重機(jī))。下面按一般慣量輕度循環(huán)舉例:

 

 

 

  • 在t2的起始點(diǎn),制動(dòng)電阻峰值功率:

    Pmax= 1.3*P*ŋ1*ŋ2=16.24kW;

 

    

  • 在整個(gè)T的時(shí)間段,制動(dòng)電阻的平均功率:

    Pn= Pmax * t2/T=162400*4/40=16240*0.1=1624W;


綜上變頻器在1.3倍制動(dòng)轉(zhuǎn)矩且10%占空比的輕度循環(huán)下,制動(dòng)電阻的參數(shù)是16ohm/1624W,10%的占空比且最大開(kāi)通時(shí)間是4秒,用戶可以根據(jù)制動(dòng)電阻供應(yīng)商的產(chǎn)品清單選型,并保證所選電阻的功率至少是理論計(jì)算值的2~3倍。   


確定制動(dòng)時(shí)brake IGBT的開(kāi)關(guān)頻率和占空比


由于Brake IGBT在消耗電機(jī)反饋的能量時(shí)需要不停地開(kāi)通關(guān)斷,所以必須計(jì)算開(kāi)關(guān)頻率和占空比確保制動(dòng)電阻能夠消耗電機(jī)反饋的能量,從而保證母線不再上升。由于制動(dòng)時(shí)母線在滯回區(qū)間760~785VDC變動(dòng),母線變化會(huì)導(dǎo)致制動(dòng)電流Ibr和回饋充電電流Icharge有小幅變化,但為了方便計(jì)算我們就假定這兩個(gè)值基本維持不變,可得如下:

 

  • 16ohm制動(dòng)電阻在制動(dòng)時(shí)的IGBT電流Ibr

    Ibr=Vbr/R=785/16=49.1A

     

  • 電機(jī)能量反饋時(shí)的電容充電電流Icharge=1.3*P*ŋ1*ŋ2/Vbr=1.3*15000*0.85*0.98/785=20.69A

 

  • Brake IGBT開(kāi)關(guān)頻率

    有了Ibr和Icharge,就可以得到IGBT關(guān)斷時(shí)Δt時(shí)間內(nèi)母線電壓上升值 ΔU↑和IGBT開(kāi)通時(shí)Δt時(shí)間內(nèi)母線電壓下降值ΔU↓:

     

    ΔU↑=Icharge*Δt/C=20.69*Δt/(1660uF*0.000001)=12460*Δt (V)

    ΔU↓= (Ibr - Icharge)*Δt/C=(785/16-20.69)*Δt/(1660*0.000001)=17090*Δt (V)


制動(dòng)策略是母線受到電機(jī)再生電能影響,電壓值達(dá)到制動(dòng)閾值785VDC時(shí)開(kāi)通IGBT,母線電壓開(kāi)始下降達(dá)到滯回區(qū)間下限760VDC才會(huì)關(guān)斷IGBT,然后母線再次受到電機(jī)再生電能的回饋電壓再次上升,達(dá)到785VDC后再開(kāi)通IGBT,周而復(fù)始,所以Ton/Toff時(shí)間如下:

 

 

IGBT Ton的Vbus下降階段,ΔU↓=785-760即Δt1=25/17090=1.46ms;

IGBT Toff的Vbus上升階段,ΔU↑=785-760即Δt2=25/12460=2ms;

T=Ton+Toff=Δt1+Δt2=1.46+2=3.46ms

Fsw=1/(Ton+Toff)=1/3.46=289Hz

 

  • 確定Brake IGBT PWM占空比Duty-cycle=Ton/T=1.46/(1.46+2)=42.2%


SemiSel仿真配置


確定開(kāi)關(guān)頻率、電阻阻值、占空比、開(kāi)關(guān)頻率后,就可以用賽米控專用的仿真軟件SemiSel進(jìn)行計(jì)算,下面詳細(xì)介紹如何使用SemiSel進(jìn)行仿真

 

選擇DC/DC中Brake Chopper


 

選擇extended overload configuration,并且參數(shù)配置如下:

i)  t:0~35.999s,Vdc=785VDC,R=16ohm,fsw=289Hz,占空比0;

ii) t:36~40s,Vdc=785VDC,R=16ohm,fsw=289Hz,占空比0.422;

iii) t:40.001s,Vdc=785VDC,R=16ohm,fsw=289Hz,占空比0;

 

 

 

模塊選擇MiniSKiiP35NAB12T4V1

 

 

之前假定了散熱器在額定工況下最高為85°C,此處就選擇Fixed heastsink temperature頁(yè)面,并配置溫度為85°C;

 

 

 

 IGBT損耗結(jié)果和Tj溫度波動(dòng)


點(diǎn)擊calcuate按鍵后,就會(huì)出現(xiàn)最后的損耗和結(jié)溫的結(jié)果。選取overload頁(yè)面。


  • IGBT損耗和曲線

     

從下圖可以得到IGBT的損耗產(chǎn)生在t=36~40s時(shí)間段;隨著結(jié)溫上升損耗也會(huì)同步微幅增加,在t=40s時(shí)的損耗會(huì)達(dá)到最高45W,其中導(dǎo)通損耗43.42W,關(guān)斷損耗1.58W。


 

 

  • IGBT結(jié)溫和曲線

     

從下圖可以得到IGBT結(jié)溫在36s~40s開(kāi)始上升,t=40s結(jié)溫最高可以達(dá)到115°C至119°C,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于運(yùn)行結(jié)溫150°C,同時(shí)我們可以用光標(biāo)移動(dòng)到各個(gè)時(shí)間點(diǎn)就可以得到對(duì)應(yīng)溫度。


 

 總結(jié)


最后再總結(jié)一下,制動(dòng)電阻的計(jì)算主要分為兩部分:首先是根據(jù)廠家定義的制動(dòng)扭矩和制動(dòng)循環(huán)來(lái)確定電阻本身的阻值和功率;再根據(jù)選定的阻值使用SemiSel確定IGBT的損耗并確認(rèn)結(jié)溫是否在IGBT允許工作的范圍內(nèi)。用戶可以根據(jù)自身變頻器定義的制動(dòng)工況來(lái)選擇相對(duì)應(yīng)的參數(shù)來(lái)進(jìn)行計(jì)算和驗(yàn)證。

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