近年來，工業(yè)及消費市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔當著非常重要的角色。安建半導體為滿足不斷發(fā)展及增長的解決方案需求，除了在傳統(tǒng)直插式封裝，如TO-220及TO-247，及性能較高的貼片式封裝，如TOLL及TO-263，中奠定良好基礎外，更引入了先進熱性能封裝技術(shù)，采用頂部散熱設計「TOLT」，及雙面散熱設計「DFN5x6 DSC (Dual Side Cooling) 」為市場提供更卓越的SGT MOSFET產(chǎn)品系列。
1.封裝設計
TOLT是表面散熱的引腳型TO封裝，與同樣有高電流、高功率密度的TOLL封裝相比，TOLT將汲極直接暴露于表面，透過將散熱片置于表面，使絕大部分的熱量不需透過PCB，以更直接的方式傳至散熱片，降低傳統(tǒng)底部散熱封裝（例如TOLL及TO-263等）透過PCB傳熱時所產(chǎn)生的功耗。TOLT通過優(yōu)化散熱和熱傳導路徑，不但可以提升整體系統(tǒng)熱性能，更為客戶設計PCB及考慮散熱方案時提供更靈活的方案
封裝示意圖
DFN5X6 DSC是雙面散熱型封裝，與同樣POD的單面散熱DFN5X6相比，DFN 5X6 DSC在保留汲極的底部散熱面的同時，將表面的銅夾片外露，使DFN5X6 DSC可同時透過底部PCB和頂部外露銅夾片，配合散熱片同時散熱。 DFN 5X6 DSC可以大幅降低整體器件熱阻，從而降低系統(tǒng)工作溫度，提高其穩(wěn)定性及延長器件的使用壽命。DFN 5X6 DSC以達到極致的功率密度，為高熱性能及功率要求的客戶提供更優(yōu)秀的方案。
封裝示意圖
2.產(chǎn)品優(yōu)勢及應用領域
在電力電子領域，MOSFET 通常是表面貼裝 (SMD)，采用DFN 5x6, TO-263 和 TOLL 等封裝類型。SMD安裝是首選技術(shù)，因為作為一種緊湊的解決方案，它具有良好的性能以及自動放置和焊接的便利性。然而，SMD元件的散熱并不理想，因為熱傳播路徑通常穿過印刷電路板 (Fig. 1)。
Fig. 1 傳統(tǒng)底部散熱封裝的散熱路徑
安建半導體推出新型TOLT和DFN 5X6 DSC 封裝中器件的熱路徑是向上的，因此散熱器位于MOSFET上方 (Fig. 2)，能將功率器件、柵極驅(qū)動器和其它元件等元件放置在電路板底部的釋放區(qū)域。這能使用更小的PCB。這種更緊湊的布局還能實現(xiàn)更短的柵極驅(qū)動器走線，這在工作中是一個優(yōu)勢。
Fig. 2 頂部散熱封裝位于封裝頂部的散熱器，從而改善布局和散熱路徑
由于熱量不再需要通過PCB，因此電路板本身保持較低溫度，MOSFET附近的元件在較低溫度下工作，因此更可靠。頂部冷卻封裝提供了更好的熱響應，每瓦功耗的溫升較低，能在預定的最大結(jié)溫升高下以更大的功率運行。最終，采用頂冷封裝的相同MOSFET芯片比采用標準SMD封裝的相同芯片具有更高的電流和性能能力。
3.推薦型號及POD
