英飛凌CoolGaN™ BDS 40 V G3產(chǎn)品系列
英飛凌科技氮化鎵業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：“如今消費(fèi)類設(shè)備尺寸持續(xù)縮小，但對電力的需求卻日益提高。這使得工程師面臨著在更小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)電力輸出的巨大壓力。英飛凌全新的CoolGaN™ BDS應(yīng)運(yùn)而生。它將兩個背對背硅MOSFET的功能集成于單顆元件中，使元件使用數(shù)量減少了一半，從而大大簡化了PCB布局。設(shè)計團(tuán)隊可直接沿用現(xiàn)有驅(qū)動方案，避免成本高昂的重新設(shè)計并加快產(chǎn)品面市速度，實(shí)現(xiàn)更加精簡、更具成本效益的電源路徑。”
雙向開關(guān)（BDS）與其他氮化鎵設(shè)備一樣，兼容5 V柵極驅(qū)動。IGK048B041S和IGK120B041S分別采用2.1 x 2.1 mm²和1.7 x 1.2 mm² WLCSP的芯片級封裝，專為智能手機(jī)、筆記本電腦和可穿戴設(shè)備等空間高度受限的應(yīng)用而設(shè)計。尺寸較大的 IGK048B041S實(shí)現(xiàn)了4.2 mΩ 的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），而尺寸較小的IGK120B041S導(dǎo)通電阻則為9 mΩ。CoolGaN™ BDS設(shè)備具有出色的開關(guān)性能和漏電性能。其柵極電荷比性能相當(dāng)?shù)钠渌a(chǎn)品低約40%，可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)轉(zhuǎn)換速度、更低的開關(guān)損耗，以及在快充應(yīng)用中更高的系統(tǒng)效率。此外，其雙漏極間關(guān)斷漏電流比市面其他設(shè)備低85%以上，凸顯GaN技術(shù)在漏電控制上的天然優(yōu)勢。上述特性綜合作用，能有效降低系統(tǒng)升溫，提升長期可靠性，并幫助制造商滿足日益嚴(yán)苛的安全要求。
與依賴體二極管（可能導(dǎo)致意外電流流動）的硅MOSFET不同，CoolGaN™ BDS器件可實(shí)現(xiàn)雙向電壓和電流阻斷。這種真正有效的雙向阻斷能力對于智能手機(jī)和便攜式設(shè)備中的USB過壓保護(hù)等應(yīng)用至關(guān)重要，它們可以防止意外反向電流，保護(hù)敏感的下游組件。CoolGaN™ BDS器件同樣非常適合用于多軌電源架構(gòu)中的負(fù)載開關(guān)和電源多路復(fù)用功能，此類應(yīng)用需要精確控制多條供電軌之間的電流方向。
隨著IGK048B041S和IGK120B041S的發(fā)布，再加上此前發(fā)布的IGK080B041S，英飛凌CoolGaN™ BDS 40 V G3系列現(xiàn)包括三款器件，全面覆蓋從緊湊型可穿戴設(shè)備到高性能筆記本電腦的完整移動電源開關(guān)需求譜系。
英飛凌擁有強(qiáng)大的產(chǎn)品組合，在過去一年中推出了40余款GaN新產(chǎn)品，是客戶在選擇高質(zhì)量GaN解決方案時的優(yōu)先合作伙伴。公司正穩(wěn)步推進(jìn)基于300毫米晶圓的可擴(kuò)展GaN制造，首批樣品已向客戶交付。該工藝平臺顯著提升了生產(chǎn)產(chǎn)能并加快了高品質(zhì)GaN產(chǎn)品的交付速度，進(jìn)一步鞏固了英飛凌在GaN市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
供貨情況
IGK048B041S和IGK120B041S現(xiàn)已通過英飛凌授權(quán)分銷渠道供貨。詳細(xì)的產(chǎn)品信息、數(shù)據(jù)手冊及采購選項，可訪問此處獲取。
