工業(yè)用NX型1.2kV IGBT模塊（CM1000DX-24M型號(hào)）
三菱電機(jī)集團(tuán)于2026年5月19日宣布，將于6月15日起陸續(xù)開始提供10款新型工業(yè)用NX型1.2kV絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊的樣品。該模塊專為控制機(jī)床、工業(yè)機(jī)器人和大容量電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的逆變器而設(shè)計(jì)，配備了最新的第8代IGBT。與現(xiàn)有IGBT模塊相比，使用該模塊可使功率損耗降低約19%，從而降低工業(yè)設(shè)備的能耗。
三菱電機(jī)將于6月9日至11日在德國紐倫堡舉辦的2026年電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)（PCIM）博覽會(huì)上展出該工業(yè)用NX型1.2kV IGBT模塊，并且后續(xù)計(jì)劃將在日本、中國等國家的相關(guān)展覽會(huì)上展出。
通過優(yōu)化IGBT和二極管布局，三菱電機(jī)成功新增了額定電流達(dá)1000A的型號(hào)，為現(xiàn)有產(chǎn)品的1.25倍；同時(shí)，保持與現(xiàn)有產(chǎn)品相同的封裝尺寸，實(shí)現(xiàn)了更高的逆變器能量密度。
而且，繼續(xù)使用工業(yè)NX型封裝，確保了對(duì)現(xiàn)有模塊的輕松更換，有助于縮短新逆變器的開發(fā)周期。
第8代IGBT與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，功率損耗降低約19%
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專有的分裂式虛擬柵（SDA）結(jié)構(gòu)，抑制了引起噪聲并使高速開關(guān)復(fù)雜化的dv/dt，實(shí)現(xiàn)了比第7代IGBT更快的開關(guān)速度和更低的開通損耗。
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專有的載流子等離子層（CPL）結(jié)構(gòu)，抑制了關(guān)斷過程中可能導(dǎo)致IGBT故障的過電壓，并允許使用更薄的IGBT芯片，有助于降低開通、關(guān)斷和導(dǎo)通期間的功率損耗。
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這些技術(shù)進(jìn)步使功率損耗比配備第7代IGBT的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約19%，有助于降低逆變器的能耗。
新增最大1000A額定產(chǎn)品線，有助于提高逆變器輸出
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通過優(yōu)化芯片上IGBT和二極管的排列，新型1000A額定型號(hào)在保持相同封裝尺寸的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有產(chǎn)品1.25倍的輸出能力。
與現(xiàn)有封裝兼容，縮短逆變器開發(fā)周期
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保持與工業(yè)NX封裝相同的外部尺寸和端子位置，使新模塊能夠輕松安裝在現(xiàn)有產(chǎn)品中，縮短逆變器開發(fā)周期。
為助力實(shí)現(xiàn)低碳世界的發(fā)展目標(biāo)，對(duì)能夠?qū)崿F(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的功率半導(dǎo)體的需求正不斷增長。對(duì)于讓工廠機(jī)床和工業(yè)機(jī)器人中的電機(jī)能夠高效運(yùn)行和控制的逆變器來說，工業(yè)用功率半導(dǎo)體模塊是其重要的組成部分。因此，必須進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備的能耗，這就推動(dòng)了對(duì)更高效率和更大輸出功率模塊的需求。
自1990年首次在模塊中配備IGBT以來，三菱電機(jī)以其半導(dǎo)體產(chǎn)品的卓越性能和高可靠性贏得了良好聲譽(yù)，這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)、電力和鐵路等領(lǐng)域。公司一直致力于降低功率損耗并提高對(duì)整體產(chǎn)品性能有重大影響的IGBT的可靠性。最近，三菱電機(jī)開發(fā)了采用專有SDA結(jié)構(gòu)和CPL結(jié)構(gòu)的第8代IGBT。
三菱電機(jī)通過及時(shí)提供滿足市場對(duì)跨領(lǐng)域節(jié)能功率電子產(chǎn)品需求的產(chǎn)品，穩(wěn)步為綠色轉(zhuǎn)型（GX）做出貢獻(xiàn)。
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1 逆變器系統(tǒng)：由逆變器和轉(zhuǎn)換器電路組成，用于高效控制工廠機(jī)床、起重機(jī)等工業(yè)設(shè)備中電機(jī)的轉(zhuǎn)速和電源容量。
2 對(duì)比對(duì)象：配備第7代IGBT的現(xiàn)有產(chǎn)品CM800DX-24T1�；谌怆姍C(jī)模擬結(jié)果計(jì)算，條件：2級(jí)，Vcc=600V，Io=350 Arms，M=1，PF=1，F(xiàn)c=2kHz，fo=50Hz。
3 與現(xiàn)有產(chǎn)品CM800DX-24T1相比。
4 SDA結(jié)構(gòu)：通過將IGBT的虛擬溝槽分為兩級(jí)（上下）來優(yōu)化柵極電容的結(jié)構(gòu)。
5 dv/dt：電壓隨時(shí)間的變化率。
6 CPL結(jié)構(gòu)：在芯片背面形成深n層以控制動(dòng)態(tài)操作期間載流子的結(jié)構(gòu)。
7 RoHS：有害物質(zhì)限制指令。
