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Energy Micro 的Cortex-M4 MCU的性能受益于臺積電最新的低漏電流工藝技術(shù)

已有100767次閱讀2013-05-27標(biāo)簽:超低漏電流工藝 節(jié)能微控器 無線射頻供應(yīng)商
     節(jié)能微控器和無線射頻供應(yīng)商Energy Micro宣布其一直與臺積電緊密合作來驗證臺積電的eLL(超低漏電流工藝)技術(shù)給其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器帶來的好處。和臺積電的密切配合,使Energy Micro可以很早接觸這一最新的工業(yè)技術(shù),從而進(jìn)一步增強(qiáng)其MCU產(chǎn)品性能。
 
    臺積電的eLL超低漏電流工藝是其嵌入式閃存(EmbFlash)技術(shù)最新的改良版,相比之前的解決方案,該工藝帶來更低的功耗-待機(jī)電流降低50-70%,運(yùn)行電流降低30%。
 
    Energy Micro的全球銷售副總裁Andreas Koller說:"EFM32 MCU產(chǎn)品的低功耗性能使其從競爭產(chǎn)品中脫穎而出。過渡到帶浮點(diǎn)單元的ARM Cortex-M4 這一32位的DSP CPU 內(nèi)核是很自然的舉動,同時我們的低功耗Gecko技術(shù)也受益于臺積電有著最好低功耗性能的最新工藝。"
 
    臺積電歐洲總裁Maria Marced說:"Energy Micro的低功耗MCU產(chǎn)品有著出色的低功耗特性和產(chǎn)品性能。Gecko技術(shù)與臺積電的超低漏電流嵌入式閃存處理工藝的結(jié)合,使得Energy Micro的產(chǎn)品的功耗顯著降低,從而進(jìn)一步增強(qiáng)Energy Micro的競爭地位。"
 
    EFM32 Cortex-M4微控制器產(chǎn)品具有浮點(diǎn)運(yùn)算單元,可以通過以下鏈接申請免費(fèi)樣品:http://energymicro.com/samples
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