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三菱電機新品在PCIM亞洲展上大受歡迎

已有100867次閱讀2013-06-21標簽:PCIM亞洲展 碳化硅(SiC)功率模塊系列產(chǎn)品 三菱電機
     三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com在剛結束的PCIM亞洲展上,展出最新的碳化硅(SiC)功率模塊系列產(chǎn)品,甚受現(xiàn)場觀眾歡迎,吸引了很多客戶查詢,對新產(chǎn)品的“寬禁帶、低損耗及高耐溫”性能,表示莫大的興趣。

這系列碳化硅功率模塊產(chǎn)品,是三菱電機在去年7月發(fā)布,為已近極限的硅材料制造的IGBT芯片帶來突破。與硅相比,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍,臨界擊穿電場強度是硅的10倍,電子飽和速率是硅的2倍。

與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有關斷拖尾電流極小、開關速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用碳化硅功率器件開發(fā)電力電子變流器,能提高功率密度,縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開關頻率,縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運行的可靠性;還易于實現(xiàn)高電壓大功率的設計。碳化硅功率器件可廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫三大電力電子系統(tǒng)。

三菱電機迄今為止發(fā)布的碳化硅功率模塊,包括用于變頻空調的600V/15A混合碳化硅DIPIPMTM、600V/20A混合碳化硅 DIPPFCTM、600V/20A碳化硅 DIPPFCTM,用于工業(yè)設備的1200V/75A混合碳化硅-IPM、1200V/800A碳化硅模塊、600V/200A混合碳化硅IPM,以及用于鐵路牽引的1700V/1200A混合碳化硅-HVIGBT

   

* 混合碳化硅模塊:主開關采用硅-IGBT,續(xù)流二極管采用碳化硅-SBD

* 全碳化硅模塊: 主開關采用碳化硅-MOSFET,續(xù)流二極管采用碳化硅-SBD

* DIPIPMTM      三菱電機注冊商標,雙列直插式智能功率模塊

* DIPPFCTM     三菱電機注冊商標,雙列直插式功率因數(shù)校正模塊

在展會上,除了以上碳化硅功率模塊吸引觀眾的目光外,三菱電機同步展出的新型功率模塊,包括最新的工業(yè)用DIPIPMTM、家電用第6DIPIPM TM、變頻冰箱用MOS-DIPIPM TM、新一代IPM、第6.1IGBT模塊、第6T型三電平IGBT模塊、第6代新型MPD模塊、R系列HVIGBT、J系列汽車用EV T-PM模塊和EV-IPM,都吸引參觀者的視線。
 

為了方便客戶采用新型功率模塊開發(fā)變流器產(chǎn)品,三菱電機還展示多種變流器整體解決方案,包括基于第5DIPIPM TM的變頻空調驅動器、基于MOS-DIPIPM TM的變頻冰箱驅動器、基于工業(yè)DIPIPMTM的伺服驅動器、風電變流器功率組件MPD-Stack100kW T型三電平并網(wǎng)逆變器等,令人一目了然。
 

作為全球首家掌握功率半導體硅片技術和封裝技術的公司,三菱電機將積極致力于新材料的開發(fā)和應用,努力為電力電子業(yè)界奉獻高性能和高可靠性的功率半導體模塊。
 
圖片說明:
 
產(chǎn)品:觀眾正細心研究三菱電機展出的整體解決方案。
展臺現(xiàn)場:三菱電機的展臺吸引了不少現(xiàn)場觀眾。
三菱電機機電(上海)有限公司簡介
三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在最新的《財富》500強排名中,名列第214
作為一家技術主導型的企業(yè),三菱電機擁有多項領先技術,并憑強大的技術實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)著重要的地位。

三菱電機機電(上海)有限公司把弘揚國人智慧,開創(chuàng)機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命。憑借優(yōu)越的技術與創(chuàng)造力貢獻產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進社會繁榮。

三菱電機半導體產(chǎn)品包括三菱功率模塊(IGBTIPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品,其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求;而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。

更多信息,請登陸三菱電機機電(上海)有限公司網(wǎng)站:http://www.MitsubishiElectric-mesh.com或三菱電機半導體全球網(wǎng)站:www.mitsubishielectric.com/semiconductors。
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