賓夕法尼亞、MALVERN - 2013 年 9 月5 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其采用超小PowerPAK^® SC-70封裝的TrenchFET^®Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間及提高效率而設(shè)計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

　　對于電源管理中的負載和電池開關(guān)，以及智能手機、平板電腦、移動計算設(shè)備、硬盤驅(qū)動器和固態(tài)驅(qū)動的同步降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用里的控制開關(guān)，-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的極低導(dǎo)通電阻。-20V SiA437DJ的導(dǎo)通電阻為14.5mΩ(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導(dǎo)通電阻分別只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的涌入電流，可用于負載開關(guān)。

　　器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能在其電路中實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命，同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節(jié)省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應(yīng)用，MOSFET的P溝道技術(shù)不需要使用電平轉(zhuǎn)換電路或"自舉"器件，簡化了柵極驅(qū)動的設(shè)計。

　　SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　器件規(guī)格表：

　　　SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的"財富1000 強企業(yè)"，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及"一站式"服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　TrenchFET^®和PowerPAK^®是Siliconix公司的注冊商標(biāo)。