2013 年 12 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載應(yīng)用，把高效同步DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進小尺寸5mm x 6mm封裝里，比使用分立MOSFET的方案節(jié)省空間，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至6.4mΩ。
今天發(fā)布的這些MOSFET是業(yè)內(nèi)首批通過汽車級認證的采用非對稱封裝的雙芯片MOSFET，為降低傳導(dǎo)損耗，增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作，具有車內(nèi)任何位置的應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用于車載通信娛樂系統(tǒng)，例如收音機和GPS系統(tǒng)。
SQJ940EP和SQJ942EP使設(shè)計者能夠選用不同的導(dǎo)通電阻值。在10V電壓下，SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為6.4mΩ，溝道1高邊MOSFET的導(dǎo)通電阻為16mΩ。與雙芯片對稱方案相比，SQJ940EP的低邊導(dǎo)通電阻低31%，而尺寸同樣小巧。SQJ942EP在10V下的最大低邊導(dǎo)通電阻為11mΩ，高邊MOSFET的導(dǎo)通電阻為22mΩ。
這些MOSFET通過了100%的Rg和UIS測試，符合RoHS，無鹵素。
器件規(guī)格表：
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編號 |
SQJ940EP |
SQJ942EP |
|||
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通道 |
1 |
2 |
1 |
2 |
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VDS (V) |
40 |
40 |
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|
VGS (V) |
± 20 |
± 20 |
|||
|
最大RDS(ON) (mΩ) @ |
10 V |
16 |
6.4 |
22 |
11 |
|
4.5 V |
18.5 |
7.6 |
26 |
13 |
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SQJ940EP和SQJ942EP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的"財富1000 強企業(yè)"，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及"一站式"服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。
