IRFHE4250D配備IR新一代硅技術(shù)，并采用了適合背面貼裝的6×6 PQFN頂部外露纖薄封裝，為電源模塊帶來(lái)更多封裝選擇。這款封裝結(jié)合了出色的散熱性能、低導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） 與柵極電荷 （Qg），提供卓越的功率密度和較低的開(kāi)關(guān)損耗，從而縮減電路板尺寸，提升整體系統(tǒng)效率。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“高達(dá)60A額定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET是全球首款頂部外露電源模塊器件，提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度，有效滿足要求頂尖效率的高性能DC-DC應(yīng)用。”
與IR的其它電源模塊器件一樣，IRFHE4250D可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器共同操作，以提供設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)以小的占位面積實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率，還為IR電源模塊帶來(lái)全新的6×6 PQFN封裝選擇。
IRFHE4250D符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及第二級(jí)濕度敏感度 （MSL2） 標(biāo)準(zhǔn)，并采用了6×6 PQFN頂部外露封裝，備有符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） 的環(huán)保物料清單。
產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單。
規(guī)格
