日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布采用Punch Through（PT）和Field Stop（FS）技術(shù)的新Trench IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）平臺。Vishay Semiconductors推出的這些器件可提高電機驅(qū)動、UPS、太陽能逆變器和焊接設備逆變器的效率，以裸片方式供貨，集電極到發(fā)射極的電壓較低，能夠快速和軟導通及關(guān)斷，從而降低傳導和開關(guān)損耗，650V的擊穿電壓提高了可靠性。
今天發(fā)布的IGBT芯片提供多種裸片尺寸，額定集電極電流從30A到240A，擊穿電壓為600V～650V，包括Trench PT和FS器件，每種器件都提供已切割或未切割的裸片。
Trench PT器件具有極低的傳導損耗，負溫度系數(shù)使器件在50%額定電流下集電極到發(fā)射極電壓低至1.07V，在滿額定電流和+125℃下為1.34V。通過采用Trench結(jié)構(gòu)，IGBT的尺寸比平面工藝的器件小，具有更高的電力密度和更低的熱阻，而不會損失性能和可靠性。Trench PT IGBT適合頻率小于1kHz的低開關(guān)頻率。
在滿電流和25℃下，Vishay的Trench FS器件的集電極到發(fā)射極飽和電壓只有1.45V，可減少傳導損耗。器件同時具有快速和軟開關(guān)特性，既減小功耗，又降低導通和關(guān)斷損耗。另外，器件的軟關(guān)斷能夠降低峰值電壓，擴大功率等級，簡化電路布局。FS IGBT的工作溫度達+175℃，能實現(xiàn)更健壯的設計，在高溫（150℃）下的短路額定時間只有6μs，使器件在極重負載和失效情況下也能安全和可靠地工作。器件的飽和電壓具有較低的正溫度系數(shù)，可簡化并聯(lián)設計。
器件規(guī)格表：
產(chǎn)品編號VCE （V）IC （A）VCE（ON） / VCEsat （V）技術(shù)裸片尺寸 （mm）裸片類型
VS-GC200A060LC6002001.34Trench PT12.6 x 10.3已切割
VS-GC200A060LB6002001.34Trench PT12.6 x 10.3未切割
VS-GC030C060TC600301.45Trench FS3.5 x 4.3已切割
VS-GC030C060TB600301.45Trench FS3.5 x 4.3未切割
VS-GC030C065TC650301.50Trench FS3.5 x 4.3已切割
VS-GC030C065TB650301.50Trench FS3.5 x 4.3未切割
VS-GC200C060TC6002001.45Trench FS10.3 x 9.8已切割
VS-GC200C060TB6002001.45Trench FS10.3 x 9.8未切割
VS-GC200C065TC6502001.50Trench FS10.3 x 9.8已切割
VS-GC200C065TB6502001.50Trench FS10.3 x 9.8未切割
VS-GC240C060TC6002401.45Trench FS12.6 x 10.3已切割
VS-GC240C060TB6002401.45Trench FS12.6 x 10.3未切割
VS-GC240C065TC6502401.50Trench FS12.6 x 10.3已切割
VS-GC240C065TB6502401.50Trench FS12.6 x 10.3未切割
這些器件適合用在電源模塊里，搭配Vishay的新型FRED Pt? Gen 4超快軟恢復二極管一起使用，可以實現(xiàn)非常低的EMI，最高工作溫度達+175℃，在單相和三相逆變器、功率因數(shù)校正（PFC）電路，以及全橋及半橋DC/DC轉(zhuǎn)換器里可以即插即用，十分可靠。
理想組合 - Trench IGBT加FRED Pt? Gen4二極管
IGBT產(chǎn)品編號FRED Pt? Gen4產(chǎn)品編號速度BVCES（V）Ic（A）典型VF（V）裸片尺寸（mm）應用
VS-GC030C060TBVS-4FD156U06A6BCU600301.43.96 x 2.59電機驅(qū)動
VS-4FD156H06A6BCH600301.653.96 x 2.59UPS
VS-GC200C060TBVS-4FD378U06A6BCU6002001.459.6 x 6.04電機驅(qū)動
VS-4FD378H06A6BCH6002001.69.6 x 6.04UPS
