系統(tǒng)用途
　　本測(cè)試系統(tǒng)不僅滿足大功率VDMOS的GFS(跨導(dǎo))測(cè)試、IGBT功率參數(shù)的測(cè)試，還涵蓋中小功率半導(dǎo)體器件的測(cè)試，適用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家進(jìn)行圓片中測(cè)或封裝成測(cè)，各類整機(jī)廠家、科研院所的質(zhì)量檢測(cè)部門進(jìn)行入廠檢驗(yàn)、可靠性分析測(cè)試
　　測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)。 　　系統(tǒng)特點(diǎn)
　　◆ PC機(jī)為系統(tǒng)的主控機(jī)
　　◆ 菜單式測(cè)試程序編輯軟件操作簡(jiǎn)便
　　◆ 預(yù)先連接測(cè)試自動(dòng)識(shí)別NPN/PNP
　　◆ 0～±2000V程控高壓源(可擴(kuò)展到±3000V)
　　◆ 高達(dá)±500A程控高流源(可擴(kuò)展到±1000A)
　　◆ ±40V/±40A(可擴(kuò)展到±80V、±50A)的可編程電壓電流源通過(guò)測(cè)試系統(tǒng)先進(jìn)的硬件閉環(huán)測(cè)試方法實(shí)現(xiàn)功率VDMOS的GFS跨導(dǎo)的測(cè)試
　　◆ 測(cè)試漏流最小分辨率達(dá)6.1pA
　　◆ 四線開爾文連接保證加載測(cè)量的準(zhǔn)確
　　◆ 通過(guò)IEEE488接口連接校準(zhǔn)數(shù)字表傳遞國(guó)家 計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校驗(yàn)
　　◆ Prober接口、Handler接口可選(16Bin)
　　測(cè)試對(duì)象
　　二極管/穩(wěn)壓管/恒流二極管/整流橋/瞬態(tài)抑制管： BVR、IR、VF、VZ、RZ
　　三極管： BVCBO、BVCEO、BVCES、BVCER、BVEBO、HFE、ICBO、ICBS、ICEO、 ICES、ICER、IEBO、VBEF、VBCF、VBESAT、VCESAT
　　可控硅： BVGKO、IAKF、IAKR、IGKO、IGT、
　　IH、IL、VGT、VON
　　場(chǎng)效應(yīng)管： BVDSO、BVDSS、BVDSR、BVDGO、BVGDS、BVGSO、BVGSS、GFS、IDSO、IDSS、IDSR、IG、IGDO、IGSO、IGSS、RDS(on)、VDS(on)、VGS、VGS(th)、VP
　　IGBT： BVCES、BVCGR、BVGES、ICES、IGES、VCESAT、VGETH、VGS(off)
　　達(dá)林頓矩陣：ICEX、 IIN(ON)、 IIN(Off)、 VIN(on)、 IR、VCESAT、BVR、HFE、ICEO
　　單結(jié)晶體管：Iv、Vv、IP、VP、VEB1、ETA、RBB、IEB1O、IB2
　　光敏二、三極管：ID、IL、VOC、 ISC、BV、BVCE
　　光 耦： CTR、BVECO、BVCBO、BVCEO、ICBO、ICEO、HFE、VBESAT、VCESAT、IR、IAKF、IAKR 　　系統(tǒng)用途
　　本測(cè)試系統(tǒng)用于MOSFET、IGBT的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為模塊化、開放式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋? 　　系統(tǒng)特點(diǎn)
　　◆ PC機(jī)為系統(tǒng)的主控機(jī)
　　◆ 菜單式測(cè)試程序編輯軟件操作簡(jiǎn)便
　　◆ 正負(fù)脈沖激勵(lì)源
　　◆ 美國(guó)Lecroy 400M存儲(chǔ)示波器用于時(shí)間測(cè)量，最小時(shí)間測(cè)量分辨率200pS
　　◆ 漏極電壓達(dá)600V
　　◆ 漏極電流達(dá)200A
　　◆ 通過(guò)IEEE488接口連接校準(zhǔn)數(shù)字表傳遞國(guó)家計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校驗(yàn)
　　◆ Prober接口、Handler接口可選(16Bin)
　　◆ 可為用戶提供豐富的測(cè)試適配器
　　測(cè)試參數(shù)
　　開啟時(shí)間Ton;關(guān)斷時(shí)間Toff;延遲時(shí)間Td;存儲(chǔ)時(shí)間Ts;上升時(shí)間Tr;下降時(shí)間Tf;柵極總電荷Qg;柵源充電電量Qgs;柵漏充電電量Qgd等參數(shù)。