第六代650 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專有肖特基金屬系統(tǒng)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)也與上代產(chǎn)品完全不同。其結(jié)果就是樹(shù)立行業(yè)標(biāo)桿V F（1.25 V），以及比上一代產(chǎn)品低17%的Q c x V F 優(yōu)質(zhì)系數(shù)（FOM）。此外，新推出的第六代全新二極管充分發(fā)揮碳化硅的強(qiáng)大特性——獨(dú)立于溫度的開(kāi)關(guān)性能和沒(méi)有反向恢復(fù)電荷。
該器件的設(shè)計(jì)有助于在所有負(fù)載條件下提高效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二極管具備降低散熱要求、提高系統(tǒng)可靠性和極快開(kāi)關(guān)速度等諸多優(yōu)勢(shì)。新款器件是具備最佳性價(jià)比的新一代碳化硅二極管產(chǎn)品。
