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Vishay單片SPDT模擬開關可為便攜式消費產(chǎn)品和醫(yī)療電子設備有效節(jié)省空間

已有58086次閱讀2017-10-19標簽:
       賓夕法尼亞、MALVERN — 2017年10月16日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的單片SPDT模擬開關,并在業(yè)內(nèi)首次采用了超小尺寸的新型μDFN6封裝。Vishay Siliconix DG3257非常適合用在便攜式消費產(chǎn)品和醫(yī)療設備中切換模擬和數(shù)字信號,在4.2V下的電阻為5Ω,并且提高了帶寬,減少了寄生電容,還有掉電保護功能。
 
       今天推出的這顆器件尺寸為1mm x 1mm x 0.35mm,比mQFN6封裝小29%,厚度小36%。DG3257的小尺寸使其在智能手機、平板電腦和電子書,智能手表和健身計步器等可穿戴設備,便攜式醫(yī)療儀器,攝像頭和音響,物聯(lián)網(wǎng)應用,計算機和外設,以及數(shù)據(jù)存儲設備中能有效節(jié)省寶貴的PCB空間。
       相比前一代器件在300MHz下的-3dB帶寬,DG3257將帶寬提高到超過700MHz。這顆5Ω SPDT開關響應時間很快,開通時間為17ns,超低延遲為100ps。開關在240MHz下的串擾為32dB,比競爭產(chǎn)品低10dB,隔離為-33dB。器件采用亞微米的CMOS工藝制造,寄生電容CD(ON)為9pF,降低了50%,CS(OFF)為3pF。
 
       DG3257可處理雙向的信號流,用一節(jié)鋰離子電池供電就能工作。DG3257的工作電壓為1.65V~5.5V,在關機狀態(tài)下的漏電流小于1μA。當拔掉外部供電電源時,這個功能可以避免過從電池消耗過大的電流。器件的邏輯閾值為1.4V,保證與低壓TTL/CMOS器件兼容。當與低壓MCU接口時,開關的最大耗電僅為1.5μA,比競爭器件低90%。
 
       器件符合RoHS,可承受超過6kV的ESD(人體模型),閂鎖電流為300mA,符合per JESD78的要求。
 
       新模擬開關現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周。
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