意法半導(dǎo)體最新推出超結(jié)型MDmesh V系列
日期:2012-01-13 14:57
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出超結(jié)型MDmeshV系列--STW88N65M，新產(chǎn)品的導(dǎo)通電組（On-ResistancePerArea）僅為0.029歐姆，是標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝650伏特市場(chǎng)上導(dǎo)通電組最低的產(chǎn)品，打破同是MDmeshV之0.038歐姆的原產(chǎn)業(yè)指標(biāo)。
其實(shí)，MDmeshV系列的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET）之高壓功率已打破世界記錄，其擁有每單位面積最低的導(dǎo)通電組，使能在650伏特額定電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度。
然而，新產(chǎn)品有過(guò)之無(wú)不及地提高能效指標(biāo)至23%以上，對(duì)以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費(fèi)性電子電
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