意法半導(dǎo)體最新推出超結(jié)型MDmesh V系列
日期:2012-01-13 14:57
源和太陽能電力轉(zhuǎn)換器，能為其在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域跨大步。設(shè)計工程人員可將新產(chǎn)品替代導(dǎo)通電組較高的MOSFET，以提高終端應(yīng)用的能效，或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸并降低材料（BOM）成本。
功率電晶體市場總監(jiān)MaurizioGiudice表示，新記錄鞏固意法半導(dǎo)體在超接面（Super-Junction）MOSFET市場的地位，MDmeshV展現(xiàn)意法半導(dǎo)體最新經(jīng)市場驗證的多重漏極網(wǎng)格（Multi-DrainMesh）技術(shù)，新產(chǎn)品的更高性能降低應(yīng)用設(shè)計能耗。
值得注意的是，該公司MDmeshV系列產(chǎn)品擁有高安全范圍，能提高MOSFET對交流（AC）電力線上一般一邊突波電壓
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