中國大陸、日本半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售額大漲 09-30
日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法，有望促進(jìn)功率半導(dǎo)體升級(jí) 09-30
谷歌采用SiC，成本降50% 09-30
功率半導(dǎo)體加速國產(chǎn)化 比亞迪半導(dǎo)體前5月裝機(jī)量居首 09-30
富士康進(jìn)軍先進(jìn)封裝領(lǐng)域，夏普將于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 09-30
顯著提升充電效率，基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析 09-30
韓國電子通信研究院開發(fā)出3kV級(jí)氧化鎵外延層和器件技術(shù) 09-30
北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展 09-30
半導(dǎo)體行業(yè)多家企業(yè)正排隊(duì)港股IPO 09-30
年產(chǎn)1600噸半導(dǎo)體碳化硅項(xiàng)目簽約安吉 09-30
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05/23 23:29